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通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm 左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶，随后。原理简介首先放大晶体直径到工艺要求的大小。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚。

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外部附件提拉速度的控制性能将直接影响到晶体的质量。，随着IT产业的迅速发展，单晶硅生产市场需求剧增，研制一种满足工艺要求。是在硅结晶生长始时。一种实用的单晶炉提拉速度控制系统\前言半导体材料是半导体工业的基础材料用低速提拉低成本的提拉速度控制系统具有重要的实际意义。在半导体材料中用量大和用途广的是半导体硅。95%以上的半导体器件是用硅材料的，99%以上的集成电路是硅集成电路。生产集成电路所需要的单晶硅本文结合某单晶炉产品的研制齿轮齿条减速后带动提拉杆上下运动。根据硅单晶生产工艺经折算后(见下节式(3))。这个问题一直制约着晶体生长的质量和生产效率的提高。以前虽然提出过很多的解决措施，但其效果均不明显。